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深圳市赛美科科技有限公司
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普通库存(499794)集成电路(IC)(4)半导体存储器(1)二极管(11)场效应管MOSFET(1)电源/稳压器(3)连接器/接插件(11)其他未分类(3)
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产品信息
更低的导通压降（ V
CESAT
)
关损失包括尾电流
损失包括二极管恢复
能源
LOWER ç
水库
/C
IES
比
高工作频率为70
千赫
非常软超快速恢复反
并联二极管
全新一代产品
严格的参数分布
3
1
2
TO-220
TO-220FP
3
1
D
2
PAK
图2 ：内部原理图
描述
采用了的高电压技术的基础上
带布局，意法半导体
设计的IGBT ，所述Pow-一种先进的家庭
erMESH
™
IGBT的，以优异的表演。
后缀"H"确定一个家庭的高优化
为了实现非常高频应用
高开关性能（降低TFALL ）联机
泰宁一低的电压降。