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FM24CL16B16Kb的串行3V F-RAM存储器特点16K位的非易失性铁电RAM组织为2048 ×8位高耐用性1014读/写38年数据保留无需等待的写入™先进的高可靠性铁电工艺快速两线串行接口高达1MHz的总线频率直接硬件替代EEPROM支持传统时序100千赫& 400千赫低功耗工作2.7 - 3.65V操作100 A工作电流（ 100千赫）3 A（典型值）待机电流行业标准配置工业级温度-40°C至+ 85°C8引脚“绿色” / RoHS指令的SOIC封装和TDFN封装描述该FM24CL16B是16千比特的非易失性存储器采用先进的铁电工艺。一铁电随机存取存储器或FRAM是非易失性和执行读取和写入像内存。它提供了可靠的数据保留38年同时消除了复杂性，开销，并且造成EEPROM的系统级可靠性问题和其它非易失性存储器。该FM24CL16B执行写操作，在公交车速度。没有写入延迟发生。数据被写入到在循环中的存储器阵列之后它一直成功传输到该设备。下一班车循环可立即开始，而不需要数据轮询。该FM24CL16B能够支持1014读/写周期或一百万次更多的写周期比EEPROM 。这些功能使得FM24CL16B理想需要频繁的非易失性存储器应用或快速写入。种类繁多，从数据采集其中写入周期的数目可以是关键的，以要求严苛的工业控制，其中一个很长的时间写可能导致数据丢失。的特征的组合可以使系统更频繁地写入数据，以更少的系统开销。该FM24CL16B提供了实实在在的利益用户的串行EEPROM ，但这些好处可在一个硬件简易替换。该FM24CL16B是提供工业标准的8位引脚SOIC封装，并使用熟悉的两线制协议。规格都保证在工业温度范围从-40 ° C至+ 85°C 。